Ср. Июн 5th, 2024

Туннельная микроскопия. Свободная пленка sp1-углерода шириной 27 нм помещалась на пленку золота. Толщина пленки определялась в атомно-силовом микроскопе по высоте ступени на краю пленки В противоположность данным АСМ, изображение, приобретенное в СТМ, выявляет структуру, относящуюся к подложке, состоящей из островков золота.

Активное развитие работ, проводимых ведущими исследовательскими центрами в области интегра­ции сегнетоэлектрических материалов в техноло­гию микро- и наноэлектроники, связано с необходимостью решения задач, стоящих перед промышленностью при переходе на новые гомологические нормы, также с способностями использования принципиально новых подходов при разработке устройств приема, обработки и хра­нения инфы.

Все более обширное применение в приборостроении, электронике находят сегнетоэлектрики, пьезо- и пиро-электрики, в связи со значимым прогрессом в области современных микро- и наноэлектронных технологий. Эти материалы в особенности животрепещущи для современного и грядущего приборостроения, основанного на микромеханике, микро- и наноэлектронике.

Посреди современных применений «активных» диэлектриков необходимо подчеркнуть три в особенности животрепещущих направления:

  • тонкие сегнетоэлектрические пленки, встроенные с полупроводниковыми элементами;
  • микросистемы, объединяющие детекторы, микропроцессоры и актюаторы;
  • СВЧ составляющие.

Применение пьезо- и пироэлектрических пленок стало расширяться резвыми темпами с того времени, как были найдена возможность соединения этих активных диэлектриков в одну цельную структуру с полупроводниковыми микропроцессорами. Такие встроенные сегнетополупроводниковые устройства представляют собой новое направление в электрической технике. В таких системах активные диэлектрики являются принципиальной частью функциональных частей, значительно расширяющих способности полупроводниковых микропроцессоров. Такие комбинированные устройства делают усилительные, генераторные, логические и исполнительные функции сразу.

МЭМС (микроэлектромеханические системы) – это устройства, состоящие из электромеханических, оптических, электронных устройств, способные получать, передавать, обрабатывать измерительную информацию, реализовывать исполнительные операции. МЭМС могут включать в себя детекторы, процессор и актюаторы.

Активные диэлектрики имеют управляемую диэлектрическую проницаемость, владеют наименьшим шумовым эффектом по сопоставлению с полупроводниками, способны производить электромеханиеское преобразование.

Нелинейные материалы более эффективны в округах структурных преобразований, потому что поблизости таких переходов устойчивое равновесие может быть нарушено воздействием наружных полей.

В текущее время сделаны и интенсивно разви­ваются разные виды устройств, использующих нелинейные характеристики сегнетоэлектрических мате­риалов. Возможность переключения вектора спон­танной поляризации наружным электронным по­лем применяется для сотворения энергонезависимых, скоростных сегнетоэлектрических ЗУ (СЗУ).

Высочайшая диэлектрическая прони­цаемость сегнетоэлектриков позволяет рассматри­вать их в качестве основного кандидата для реше­ния трудности диэлектрических материалов с вы­сокой диэлектрической проницаемостью, сначала при разработке конденса­торных частей ЗУПВ (запоминающих уст­ройств с случайной подборкой) и СВЧ ИС с вы­сокой удельной емкостью при малых топо­логических размерах, также подзатворных ди­электриков транзисторных частей ИС.

Пиро- и пьезоэлектрическая активность сег­нетоэлектриков употребляется в конструкциях мик­роэлектромеханических систем (МЭМС), в том числе неохлаждаемых матричных приемников ИК-излучения. Возможность конфигурации емкости наружным полем и малые утраты на СВЧ животрепещуща при конструировании разных СВЧ устройств, сначала фазовращательных частей антенн с электрическим сканированием.

Нелинейные опти­ческие характеристики сегнетоэлектриков вызывают ин­терес разработчиков электрооптических устройств обработки и записи инфы. Одной из важных задач в данном направ­лении, является разработка перепрограммируемых СЗУ, владеющих высочайшими чертами по временам записи/подборки (схожими с ЗУПВ, потому что время переключения поляризации сегнетоэлектрика составляет наименее 2 нс), обеспечиваю­щих энергонезависимое хранение инфы с фактически неограниченным числом циклов пе­резаписи (1012-1014) и возможность функциониро­вания в экстремальных критериях.

Работы в данном направлении уже привели к созданию коммерческих производств и развива­ются в сторону увеличения степени интеграции СЗУ. Но, в текущее время разработка СЗУ отстает от фаворитных производителей памяти, что связано с трудностью интеграции сегнетоэлектрической керамики в микроэлектронную техно­логию. Были разработаны элементы про­мышленной технологии СЗУ с внедрением способа хим осаждения из смесей алкоксидов металлов.

От content

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Ads Blocker Image Powered by Code Help Pro

Обнаружен блокировщик рекламы! Пожалуйста, обратите внимание на эту информацию.

We\'ve detected that you are using AdBlock or some other adblocking software which is preventing the page from fully loading.

У нас нет баннеров, флэшей, анимации, отвратительных звуков или всплывающих объявлений. Мы не реализовываем эти типы надоедливых объявлений! Нам нужны деньги для обслуживания сайта, и почти все они приходят от нашей интернет-рекламы.

Пожалуйста, добавьте tehnar.info к вашему белому списку блокирования объявлений или отключите программное обеспечение, блокирующее рекламу.

Powered By
Best Wordpress Adblock Detecting Plugin | CHP Adblock