Улучшение измерения наноразмеров является принципиальной задачей в критериях введения эталонов и улучшения технических черт в полупроводниковой промышленности и нанотехнологии. Новый механизм работы микроскопа предполагает внедрение атомов гелия для генерирования сигнала, применяемого на очень малых объектах. Это технический аналог сканирующего электрического микроскопа, в первый раз внедренного в внедрение в 1960-х годах. Феноминально, что хотя атомы гелия объемнее электронов, они могут обеспечить большее разрешение и больший контраст изображений.

Глубина резкости пространственного изображения также еще лучше при использовании этой новейшей технологии, и таким макаром большая часть изображения находится в фокусе. Атомы имеют больший размер и поболее маленькую длину волны, чем электрон, и вот поэтому они обеспечивают наилучшее изображение. Картина стает уже трехмерной, выявляя детали наименьшие, чем нанометр.

Изображение атомов, приобретенное современным сканирующим электрическим микроскопом имеет сравнимо слабенькую глубину резкости – только часть рисунки находится в фокусе. В противоположность этому, гелиевый ионный микроскоп дает цельное изображение, точное и ясное. Исследователи изучают способности гелиевого ионного микроскопа в области наноизмерений, которые очень важны в области полупроводниковой промышленности и нанотехнологий.

Очевидное преимущество гелиевого ионного микроскопа – в том, что он показывает реальные границы, края эталона еще лучше, чем сканирующий электрический микроскоп, который очень чувствителен к ручным настройкам характеристик.

Полупроводниковые предприятия имеют многомиллионные сканирующие электрические микроскопы для обработки и контроля процессов производства микрочипов. Композиция требования низких вибраций и наноизмерений приводит к некоторой размытости рисунка, как если бы был изображен передвигающийся предмет.