Пт. Фев 9th, 2024

Внутренний фотоэффект используется для превращения энергии излучения в электрическую энергию в полупроводниковых фотоэлементах с p—n-переходом. Большое распространение получили кремниевые фотоэлементы, используемые для преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию и получившие название солнечных батарей.

Солнечные батареи преобразуют в электрическую энергию около 12% падающей на них энергии солнечного излучения, что превышает коэффициент использования солнечного излучения при фотосинтезе в листьях растений.

Элемент кремниевой солнечной батареи (рис. 35.9) представляет собой пластину кремния n-типа, окруженную слоем кремния p-типа толщиной около одного микрометра с контактами для присоединения к внешней цепи. Вспомним, что все нескомпенсированные заряды сосредоточены в р—n-переходе, а p-область, так же как и n-область, электрически нейтральна.

При освещении поверхности элемента в тонком наружном слое p-типа генерируются пары «электрон — дырка», большинство которых, не успев рекомбинировать вследствие малой толщины слоя, попадает в p—n-переход. В p—n-переходе происходит разделение зарядов: под действием поля электроны перебрасываются в n-область, а дырки отбрасываются в p-область. Это означает, что при освещении между электродами возникает э. д, е., величина, которой достигает примерно 0,5 В. При замыкании электродов элемент может создавать ток до 25 мА (25*10-3 А) с каждого квадратного сантиметра освещаемой поверхности.

Наибольшая чувствительность кремниевых фотоэлементов приходится на зеленые лучи, т. е. на длины волн, которым соответствует максимум энергии солнечного излучения. Этим, в частности, и объясняется их довольно высокий к. п. д. Солнечные батареи, устанавливаемые на искусственных спутниках Земли и космических кораблях, дают электрическую энергию для бортовой аппаратуры.

В фотоэлементах используются и другие полупроводники, например, селен, тонкий слой которого наносится на металл. Между полупроводником и металлом при этом возникает запирающий слой, действие которого аналогично действию p—n-перехода. Такого рода фотоэлементы получили название вентильных (рис. 35.10, а). Условное изображение полупроводниковых фотоэлементов показано на рис. 35.10, б.

От content

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Ads Blocker Image Powered by Code Help Pro

Обнаружен блокировщик рекламы! Пожалуйста, обратите внимание на эту информацию.

We\'ve detected that you are using AdBlock or some other adblocking software which is preventing the page from fully loading.

У нас нет баннеров, флэшей, анимации, отвратительных звуков или всплывающих объявлений. Мы не реализовываем эти типы надоедливых объявлений! Нам нужны деньги для обслуживания сайта, и почти все они приходят от нашей интернет-рекламы.

Пожалуйста, добавьте tehnar.info к вашему белому списку блокирования объявлений или отключите программное обеспечение, блокирующее рекламу.

Powered By
Best Wordpress Adblock Detecting Plugin | CHP Adblock